环宇通讯半导体有限责任公司开发广泛的III-V族化合物半导体制程技术组合来服务RFIC/MMIC、光纤通讯、功率电子及光电等行业。

砷化镓与氮化镓射频技术 (GaAs & GaN RF Technologies)

服务行业的RFIC/ MMIC，环宇通讯半导体有限责任公司提供了一个广泛的III-V族化合物半导体制程技术组合，包括磷化铟镓（InGaP）异质介面双极电晶体（HBT）、磷化铟HBT、PHEMT、HFET、GaN HEMT、THz混频器二极管与积体被动元件（IPD）等制程技术，以提高客户的产品性能和市场竞争力。

本公司拥有五种已在大批量生产的磷化铟镓（InGaP）异质介面双极电晶体（HBT）制程技术。每一个制程技术都针对手机、无线通讯及无线通讯基站等市场之独特应用而量身定做，以提供最佳的性能（高功率和卓越的线性度）。数个应用于生产低成本手机开关，可高达40GHz的功率放大器和LNA和高线性高功率功率放大器的砷化镓（GaAs）高电子迁移率电晶体（HEMT）制程技术也已在大批量生产。做在矽上面的氮化镓高功率射频功率放大器的制程技术也已通过大批量生产所需的验证。

磷化铟HBT技术 (InP HBT Technologies)
针对于应用于测试仪器的非常高速混合讯号IC和应用于光纤通讯的40-100G转阻放大器（TIA），本公司开发了两代具有截止频率180千兆赫至300千兆赫的磷化铟（InP）HBT技术（四个制程技术流程）。自2007年以来，多位客户已证明其优越的性能和批量生产。

氮化镓功率电子技术 (GaN Power Electronics Technologies)
本公司正在开发氮化镓制程技术，以供功率电子的应用，诸如太阳能逆变器、风力发电机、traction、不断电的电力供应器（UPS）、马达驱动及混合电动车／全电动汽车。 

光电技术 (Optoelectronics Technologies)
本公司在我们4英寸RFIC/MMIC量产的生产线已开发广泛的制程模块技术，促成诸多光电元件例如单个光电二极管（PD）、PD阵列、激光器、雪崩光电二极管（APD）、垂直腔表面发射激光器 (VCSEL)，以及复杂的单晶光电积体电路的制造能力。