| 日期 |
记事 |
| 1997年8月 |
GCS USA于美国加州托伦市成立及设厂 |
| 1998年12月 |
成功开发InGaP HBT技术 |
| 1999年7月 |
获美国IDM大厂签订InGaP HBT技术转移合约 |
| 1999年8月 |
获日商Compound Semiconductor代工合约 |
| 1999年10月 |
ISO 9001-2000 认证通过 |
| 2000年5月 |
成功开发砷化镓（GaAs）PIN 光探测器（Photodiode） |
| 2000年6月 |
获美商Celeritek PHEMT 手机功率放大器量产合约 |
| 2001年4月 |
成功开发高压InGaP HBT 技术 |
| 2001年8月 |
成功开发磷化铟HBT技术 |
| 2001年12月 |
成功开发InGaAs PIN 光探测器（Photodiode） |
| 2002年1月 |
获日商WCDMA 手机功率放大器认证成功 |
| 2003年4月 |
开始量产无线射频0.5 微米PHEMT Switch（开关） |
| 2003年7月 |
开始提供光电元件晶圆代工业务 |
| 2004年3月 |
成功地开发世界最快速磷化铟HBT技术（Ft > 300 GHz），适用于光通讯40-100G Trans-impedance
Amplifier（TIA）和高速测试仪器IC |
| 2004年6月 |
获美国IDM大厂GSM手机功率放大器认证成功 |
| 2005年6月 |
聘请Mr. Jerry Curtis为总经理及执行长 |
| 2006年1月 |
获美商IDM厂 WJ
Communication多样砷化镓技术和产品转移合约，并签订长期晶圆代工合约 |
| 2006年10月 |
获得美商IDM厂光电技术和产品转移合约，并签订长期晶圆代工 |
| 2006年12月 |
获加拿大光电元件商光电技术和产品转移合约，并签订长期晶圆代工合约 |
| 2007年1月 |
成功转移WJ Communication多样砷化镓技术和产品 |
| 2007年6月 |
转移砷化镓无线射频技术和客户产品至宏捷半导体公司 |
| 2007年7月 |
开始量产WJ Communication多样产品 |
| 2008年3月 |
获日商光电技术和产品转移合约，并签订长期晶圆代工合约 |
| 2008年6月 |
开始美国氮化镓（GaN）厂商代工业务 |
| 2008年7月 |
签订APD开发合约 |
| 2008年8月 |
开始砷化镓聚光型太阳能电池晶圆代工业务 |
| 2009年10月 |
获美国IDM厂射频功率（RF Power）氮化镓（GaN）技术和产品转移计划，并签订长期晶圆代工合约 |
| 2010年11月 |
获世界级矽晶圆代工厂签订多项砷化镓（InGaP HBT and PHEMT）技术转移合约 |
| 2010年11月 |
集团控股公司GCS Holdings, Inc.设立于英属开曼群岛 |
| 2010年12月 |
GCS
Holdings, Inc.与GCS USA进行换股，集团重组完成后，GCS
Holdings, Inc.之股本为新台币306,946仟元 |
| 2011年2月 |
获得国际IDM大厂氮化镓GaN研发计划 |
| 2011年2月 |
签订VCSEL开发合约 |
| 2011年7月 |
获美商氮化矽（SiC）高功率元件晶圆代工 |
| 2011年8月 |
成功转移多项砷化镓（InGaP HBT and PHEMT）技术至世界级矽晶圆代工厂 |
| 2011年10月 |
获美商氮化镓（GaN/Si）高功率射频元件认证成功 |
| 2011年11月 |
获美商Nitronex签订长期晶圆代工合约 |
| 2012年2月 |
获得获得国际IDM大厂卫星通讯电子用HBT代工订单 |
