環宇通訊半導體有限責任公司開發廣泛的III-V族化合物半導體製程技術組合來服務RFIC/MMIC、光纖通訊、功率電子及光電等行業。

砷化鎵與氮化鎵射頻技術 (GaAs & GaN RF Technologies)

服務行業的RFIC/ MMIC，環宇通訊半導體有限責任公司提供了一個廣泛的III-V族化合物半導體製程技術組合，包括磷化銦鎵（InGaP）異質介面雙極電晶體（HBT）、磷化銦HBT、PHEMT、HFET、GaN HEMT、THz混頻器二極管與積體被動元件（IPD）等製程技術，以提高客戶的產品性能和市場競爭力。

本公司擁有五種已在大量生產的磷化銦鎵（InGaP）異質介面雙極電晶體（HBT）製程技術。每一個製程技術都針對手機、無線通訊及無線通訊基站等市場之獨特應用而量身定做，以提供最佳的性能（高功率和卓越的線性度）。數個應用於生產低成本手機開關，可高達40GHz的功率放大器和LNA和高線性高功率功率放大器的砷化鎵（GaAs）高電子遷移率電晶體（HEMT）製程技術也已在大量生產。做在矽上面的氮化鎵高功率射頻功率放大器的製程技術也已通過大量生產所需的驗證。

磷化銦HBT技術 (InP HBT Technologies)
針對於應用於測試儀器的非常高速混合訊號IC和應用於光纖通訊的40-100G轉阻放大器（TIA），本公司開發了兩代具有截止頻率180千兆赫至300千兆赫的磷化銦（InP）HBT技術（四個製程技術流程）。自2007年以來，多位客戶已證明其優越的性能和批量生產。

氮化鎵功率電子技術 (GaN Power Electronics Technologies)
本公司正在開發氮化鎵製程技術，以供功率電子的應用，諸如太陽能逆變器、風力發電機、traction、不斷電的電力供應器（UPS）、馬達驅動及混合電動車／全電動汽車。 

光電技術 (Optoelectronics Technologies)
本公司在我們4英寸RFIC/MMIC量產的生產線已開發廣泛的製程模塊技術，促成諸多光電元件例如單個光電二極管（PD）、PD陣列、激光器、雪崩光電二極管（APD）、垂直腔表面發射激光器 (VCSEL)，以及複雜的單晶光電積體電路的製造能力。